【编　号】2004-104
　　【篇　名】正充电聚四氟乙烯薄膜驻极体的电荷储存及其动态特性
　　【摘　要】研究了栅控恒压正电晕充电的聚四氟乙烯(PTFE)薄膜驻极体的电荷储存与输运特性.结果显示在10 0℃以下的较低温区和高于15 0℃,尤其是高于180℃的较高温区内慢再俘获效应控制着脱阱电荷的输运;而在约10 0—15 0℃的温区内快再俘获效应占主导地位.初始表面电位的增加将导致电荷密度衰减加剧,通过合理控制充电参数和组合热处理工艺,可使同样储存有足够高的电荷密度的正负充电的PTFE薄膜驻极体既显示出相近的电荷储存寿命,又具有突出的电荷稳定性。